WSD75N12GDN56 MOSFET WINSOK de canal N 120V 75A DFN5X6-8
Descripción general del producto WINSOK MOSFET
El voltaje del MOSFET WSD75N12GDN56 es de 120 V, la corriente es de 75 A, la resistencia es de 6 mΩ, el canal es de canal N y el paquete es DFN5X6-8.
Áreas de aplicación de WINSOK MOSFET
MOSFET para equipos médicos, MOSFET para drones, MOSFET para fuentes de alimentación PD, MOSFET para fuentes de alimentación LED, MOSFET para equipos industriales.
Campos de aplicación MOSFETWINSOK MOSFET corresponde a números de material de otras marcas
AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.
Parámetros MOSFET
| Símbolo | Parámetro | Clasificación | Unidades |
| VDSS | Voltaje de drenaje a fuente | 120 | V |
| VGS | Voltaje de puerta a fuente | ±20 | V |
| ID | 1 Corriente de drenaje continuo (Tc=25 ℃) | 75 | A |
| ID | 1 Corriente de drenaje continuo (Tc=70 ℃) | 70 | A |
| IDM | Corriente de drenaje pulsada | 320 | A |
| Iar | Corriente de avalancha de pulso único | 40 | A |
| EASa | Energía de avalancha de pulso único | 240 | mJ |
| PD | Disipación de energía | 125 | W |
| TJ,Tstg | Rango de temperatura de almacenamiento y unión operativa | -55 a 150 | ℃ |
| TL | Temperatura máxima para soldar | 260 | ℃ |
| RθJC | Resistencia térmica, unión a caja | 1.0 | °C/W |
| RθJA | Resistencia térmica, unión a ambiente | 50 | °C/W |
| Símbolo | Parámetro | Condiciones de prueba | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidades |
| VDSS | Drenaje a fuente de voltaje de ruptura | VGS=0 V, ID=250 µA | 120 | -- | -- | V |
| IDSS | Drenar a la fuente de corriente de fuga | VDS = 120 V, VGS = 0 V | -- | -- | 1 | µA |
| IGSS(F) | Puerta a fuente de fuga directa | VGS =+20V | -- | -- | 100 | nA |
| IGSS(R) | Fuga inversa de puerta a fuente | VGS =-20V | -- | -- | -100 | nA |
| VGS(TH) | Voltaje de umbral de puerta | VDS=VGS, ID = 250 µA | 2.5 | 3.0 | 3.5 | V |
| RDS(ENCENDIDO)1 | Resistencia de drenaje a fuente | VGS=10V, identificación=20A | -- | 6.0 | 6.8 | mΩ |
| gfs | Transconductancia directa | VDS=5V, identificación=50A | 130 | -- | S | |
| ciss | Capacitancia de entrada | VGS = 0 V VDS = 50 V f =1,0MHz | -- | 4282 | -- | pF |
| cos | Capacitancia de salida | -- | 429 | -- | pF | |
| crss | Capacitancia de transferencia inversa | -- | 17 | -- | pF | |
| Rg | Resistencia de la puerta | -- | 2.5 | -- | Ω | |
| td(ENCENDIDO) | Tiempo de retardo de encendido | ID = 20 A VDS = 50 V VGS = 10 V RG = 5 Ω | -- | 20 | -- | ns |
| tr | tiempo de subida | -- | 11 | -- | ns | |
| td(apagado) | Tiempo de retardo de apagado | -- | 55 | -- | ns | |
| tf | tiempo de otoño | -- | 28 | -- | ns | |
| Qg | Cargo total de puerta | VGS = 0~10 V VDS = 50 VIdentificación = 20A | -- | 61,4 | -- | nC |
| Qgs | Cargo de fuente de puerta | -- | 17.4 | -- | nC | |
| Qgd | Cargo por drenaje de compuerta | -- | 14.1 | -- | nC | |
| IS | Corriente directa del diodo | CT = 25 °C | -- | -- | 100 | A |
| ISMO | Corriente de pulso de diodo | -- | -- | 320 | A | |
| VSD | Voltaje directo del diodo | IS=6.0A, VGS=0V | -- | -- | 1.2 | V |
| trr | Tiempo de recuperación inversa | ES=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs | -- | 100 | -- | ns |
| qrr | Cargo de recuperación inversa | -- | 250 | -- | nC |
