Identificación y pruebas básicas de MOSFET

1.Identificación del pin MOSFET de unión

la puerta de laMOSFET es la base del transistor, y el drenaje y la fuente son el colector y emisor deltransistor correspondiente. El multímetro para engranaje R × 1k, con dos plumas para medir la resistencia hacia adelante y hacia atrás entre los dos pines. Cuando una resistencia directa de dos pines = resistencia inversa = KΩ, es decir, los dos pines para la fuente S y el drenaje D, el resto del pin es la compuerta G. Si es de 4 pinesunión MOSFET, el otro polo es el uso de blindaje con conexión a tierra.

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2.determinar la puerta　

Con el bolígrafo negro del multímetro para tocar el MOSFET un electrodo aleatorio, el bolígrafo rojo para tocar los otros dos electrodos. Si ambas resistencias medidas son pequeñas, lo que indica que ambas son resistencias positivas, el tubo pertenece al MOSFET de canal N, el mismo contacto del lápiz negro también es la puerta.

El proceso de producción ha decidido que el drenaje y la fuente del MOSFET son simétricos, se pueden intercambiar entre sí y no afectarán el uso del circuito. El circuito también es normal en este momento, por lo que no es necesario ir. a una distinción excesiva. La resistencia entre el drenaje y la fuente es de unos pocos miles de ohmios. No se puede utilizar este método para determinar la puerta del tipo MOSFET de puerta aislada. Debido a que la resistencia de la entrada de este MOSFET es extremadamente alta y la capacitancia interpolar entre la puerta y la fuente es muy pequeña, la medición de tan solo una pequeña cantidad de carga se puede formar en la parte superior del interpolar. capacitancia del voltaje extremadamente alto, el MOSFET será muy fácil de dañar.

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3.Estimación de la capacidad de amplificación de los MOSFET

Cuando el multímetro esté configurado en R × 100, use el bolígrafo rojo para conectar la fuente S y use el bolígrafo negro para conectar el drenaje D, que es como agregar un voltaje de 1,5 V al MOSFET. En este momento la aguja indica el valor de resistencia entre los polos DS. En este momento, con un dedo para pellizcar la puerta G, el voltaje inducido del cuerpo como señal de entrada a la puerta. Debido al papel de la amplificación MOSFET, ID y UDS cambiarán, lo que significa que la resistencia entre los polos DS ha cambiado, podemos observar que la aguja tiene una gran amplitud de oscilación. Si la mano pellizca la puerta, el movimiento de la aguja es muy pequeño, es decir, la capacidad de amplificación del MOSFET es relativamente débil; si la aguja no tiene la más mínima acción, indica que el MOSFET ha sido dañado.