Características de los MOSFET mejorados

FuerzaMOSFET Esta es una relación de clase especial de dispositivos de conexión, "MOSFET" es en inglés "Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico". Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metaal materialal, SiO2 of SiN and halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Si lo desea, el MOSFET puede tener una gran salida de energía eléctrica, y si se invierte en varias formas, al usar la función de nivel de energía se puede escribir un tipo de luz y un tipo de agotamiento ligero, cuando el canal se puede escribir en tipo N-kanal es Tipo P-kanaal.

Encienda el cable del MOSFET a través de circuitos de alimentación separados. Over het algemeen kiezenFabricantes de MOSFET de parámetro RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) es un aparato de kritieke karakteristiek para el paso de pies FET de ORing. La Guía de información de datos define RDS(ON) en relación con la base que abarca la puerta, VGS y el espacio de la puerta de encendido, pero RDS(ON) es un parámetro estadístico relativo para el accionamiento de puerta voldoende.

Si un fabricante de MOSFET tiene una fuente de alimentación segura que cumplirá con las especificaciones mínimas necesarias y de forma gratuita, es imprescindible una gran impedancia de karakteristieke. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET paralelo laten werken y moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. En cada caso, se pueden conectar MOSFET en serie con el dispositivo RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Además de RDS(ON), en el proceso de selección de MOSFET, también hay algunos parámetros MOSFET que también son críticos para los ontwerpers. En todos los casos, muchos usuarios dejaron de lado los gráficos SOA en la Guía de información de datos, y las correlaciones entre los desagües y las camas de desagüe de bronce se describen. Voor het granotste deel definieert SOA de voedingsspanning y stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

Para los tipos de condiciones de carga anteriores, después de estimar (o medir) el voltaje de funcionamiento mayor y luego dejar un margen del 20% al 30%, puede especificar el valor VDS de corriente nominal necesario del MOSFET. Aquí hay que decir que, para mejorar el costo y las características más suaves, se pueden seleccionar diodos e inductores de corriente en serie de corriente alterna en el cierre de la composición del bucle de control de corriente, liberar energía cinética de la corriente inductiva para mantener la MOSFET. La corriente nominal es clara, la corriente se puede deducir. Pero aquí se deben tener en cuenta dos parámetros: uno es el valor de la corriente en funcionamiento continuo y el valor más alto del pico de corriente de un solo pulso (Spike and Surge), estos dos parámetros para decidir cuánto se debe elegir el valor nominal del valor actual.