Diferencia entre MOSFET de potencia de salida y triodo de cristal de potencia de salida bipolar

Hoy en día, con el rápido desarrollo de la ciencia y la tecnología, los semiconductores se utilizan cada vez en más industrias, en las que elMOSFET También se considera un dispositivo semiconductor muy común, el siguiente paso es comprender cuál es la diferencia entre las características del transistor de cristal de potencia bipolar y el MOSFET de potencia de salida.

1, la forma de trabajo

MOSFET es el trabajo requerido para promover el voltaje de operación, los diagramas de circuitos explican de manera relativamente simple y promueven la potencia pequeña; El transistor de cristal de potencia es un flujo de energía para promover el diseño del programa es más complejo, para promover la especificación de la elección de difícil promover la especificación pondrá en peligro la velocidad de conmutación total de la fuente de alimentación.

2, la velocidad de conmutación total de la fuente de alimentación

El MOSFET afectado por la temperatura es pequeño, la potencia de salida conmutada de la fuente de alimentación puede garantizar más de 150 KHz; El transistor de cristal de potencia tiene muy pocos límites de tiempo de almacenamiento de carga gratuita para la velocidad de conmutación de su fuente de alimentación, pero su potencia de salida generalmente no supera los 50 KHz.

3 、 Área de trabajo segura

MOSFET de potencia no tiene base secundaria y el área de trabajo segura es amplia; El transistor de cristal de potencia tiene una situación de base secundaria, lo que limita el área de trabajo segura.

4. Voltaje de funcionamiento del requisito de funcionamiento del conductor eléctrico.

FuerzaMOSFET pertenece al tipo de alto voltaje, el voltaje de trabajo requerido por la conducción es mayor, hay un coeficiente de temperatura positivo; Transistor de cristal de potencia, no importa cuánto dinero sea resistente al voltaje de trabajo requerido, el voltaje de trabajo requerido del conductor eléctrico es menor y tiene un coeficiente de temperatura negativo.

5, el flujo de potencia máximo

MOSFET de potencia en el circuito de fuente de alimentación conmutada, circuito de fuente de alimentación, circuito de fuente de alimentación como interruptor de fuente de alimentación, en funcionamiento y trabajo estable en el medio, el flujo de potencia máximo es menor; y el transistor de cristal de potencia en funcionamiento y trabajo estable en el medio, el flujo de potencia máximo es mayor.

6 、 Costo del producto

El costo del MOSFET de energía es ligeramente mayor; El costo del triodo de cristal de potencia es ligeramente menor.

7 、 efecto de penetración

Power MOSFET no tiene efecto de penetración; El transistor de cristal de potencia tiene efecto de penetración.

8 、 Pérdida de conmutación

La pérdida de conmutación MOSFET no es grande; La pérdida de conmutación del transistor de cristal de potencia es relativamente grande.

Además, la gran mayoría de los MOSFET de potencia integran un diodo amortiguador, mientras que el transistor de cristal de potencia bipolar casi no tiene un diodo amortiguador integrado. El diodo amortiguador MOSFET también puede ser un imán universal para conmutar circuitos de suministro de energía, bobinas magnéticas para dar el ángulo del factor de potencia. del canal de seguridad del flujo de potencia. El tubo de efecto de campo en el diodo amortiguador durante todo el proceso de apagado con el diodo general debido a la existencia de un flujo de corriente de recuperación inversa, en este momento el diodo por un lado toma el drenaje-fuente polo positivo medio de una parte sustancial aumento de los requisitos de trabajo de la tensión de funcionamiento, por otro lado, y el flujo de corriente de recuperación inversa.