Directrices para la selección de paquetes MOSFET

En segundo lugar, el tamaño de las limitaciones del sistema.

Algunos sistemas electrónicos están limitados por el tamaño de la PCB y el circuito interno. alturaComo los sistemas de comunicación, la fuente de alimentación modular debido a limitaciones de altura generalmente usa el paquete DFN5 * 6, DFN3 * 3; En algunas fuentes de alimentación ACDC, el uso de un diseño ultradelgado o debido a las limitaciones de la carcasa, el ensamblaje del paquete TO220 de los pies MOSFET de potencia insertados directamente en la raíz de las limitaciones de altura no puede usar el paquete TO247. Algunos diseños ultradelgados doblan directamente los pines del dispositivo, lo que hace que el proceso de producción de este diseño se vuelva complejo.

En tercer lugar, el proceso de producción de la empresa.

TO220 tiene dos tipos de paquete: paquete de metal desnudo y paquete de plástico completo, la resistencia térmica del paquete de metal desnudo es pequeña, la capacidad de disipación de calor es fuerte, pero en el proceso de producción, es necesario agregar una caída de aislamiento, el proceso de producción es complejo y costoso. Si bien la resistencia térmica del paquete de plástico completo es grande, la capacidad de disipación de calor es débil, pero el proceso de producción es simple.

Para reducir el proceso artificial de bloqueo de tornillos, en los últimos años, algunos sistemas electrónicos que utilizan clips para alimentarMOSFET Sujetado en el disipador de calor, de modo que la aparición de la parte tradicional TO220 de la parte superior de la eliminación de agujeros en la nueva forma de encapsulación, pero también para reducir la altura del dispositivo.

Cuarto, control de costos.

En algunas aplicaciones extremadamente sensibles a los costos, como placas base y placas de escritorio, generalmente se usan MOSFET de potencia en paquetes DPAK debido al bajo costo de dichos paquetes. Por lo tanto, al elegir un paquete MOSFET de potencia, combine el estilo y las características del producto de su empresa, y considere los factores anteriores.

Quinto, seleccione la tensión soportada BVDSS en la mayoría de los casos, porque el diseño de la entrada votensión de la electrónica El sistema es relativamente fijo, la empresa seleccionó un proveedor específico de algún número de material, el voltaje nominal del producto también es fijo.

El voltaje de ruptura BVDSS de los MOSFET de potencia en la hoja de datos tiene condiciones de prueba definidas, con diferentes valores en diferentes condiciones, y BVDSS tiene un coeficiente de temperatura positivo; en la aplicación real, la combinación de estos factores debe considerarse de manera integral.

Mucha información y literatura se mencionan a menudo: si el sistema de potencia MOSFET VDS del voltaje de pico más alto es mayor que el BVDSS, incluso si la duración del voltaje del pulso de pico es de solo unos pocos o decenas de ns, el MOSFET de potencia entrará en la avalancha. y así se produce el daño.

A diferencia de los transistores y los IGBT, los MOSFET de potencia tienen la capacidad de resistir avalanchas, y muchas grandes empresas de semiconductores alimentan los MOSFET con energía de avalancha en la línea de producción mediante inspección completa, detección del 100%, es decir, en los datos, esta es una medición garantizada, voltaje de avalancha. generalmente ocurre en 1,2 ~ 1,3 veces el BVDSS, y la duración del tiempo suele ser μs, incluso nivel ms, entonces la duración de solo unos pocos o decenas de ns, mucho más bajo que el voltaje de pulso de pico de voltaje de avalancha no daña el MOSFET de potencia.

Seis, por la selección de voltaje del variador VTH

Los diferentes sistemas electrónicos de MOSFET de potencia seleccionan el voltaje de accionamiento no es el mismo, la fuente de alimentación de CA/CC generalmente utiliza un voltaje de accionamiento de 12 V, el convertidor CC/CC de la placa base del portátil utiliza un voltaje de accionamiento de 5 V, por lo que de acuerdo con el voltaje de accionamiento del sistema para seleccionar un voltaje de umbral diferente MOSFET de potencia VTH.

El voltaje umbral VTH de los MOSFET de potencia en la hoja de datos también tiene condiciones de prueba definidas y tiene diferentes valores en diferentes condiciones, y VTH tiene un coeficiente de temperatura negativo. Diferentes voltajes de accionamiento VGS corresponden a diferentes resistencias y en aplicaciones prácticas es importante tener en cuenta la temperatura.

En aplicaciones prácticas, se deben tener en cuenta las variaciones de temperatura para garantizar que el MOSFET de potencia esté completamente encendido y, al mismo tiempo, garantizar que los pulsos de pico acoplados al polo G durante el proceso de apagado no se activen mediante disparos falsos para producir un circuito directo o un cortocircuito.