Circuito antirretroceso MOSFET

1. El principio básico del circuito antirretroceso MOSFET

Circuito antirretroceso MOSFET que utiliza las características de conmutación del MOSFET, controlando el voltaje de la puerta (G) para activar y desactivar el circuito. Cuando la polaridad de la fuente de alimentación es correcta, el voltaje de la compuerta hace que el MOSFET esté en estado de conducción, la corriente puede fluir normalmente; Cuando se invierte la polaridad de la fuente de alimentación, el voltaje de la puerta no puede hacer que el MOSFET conduzca, cortando así el circuito.

En segundo lugar, la realización específica del circuito antirretroceso MOSFET.

1. Circuito antirretroceso MOSFET de canal N

Los MOSFET de canal N se utilizan generalmente para realizar circuitos anti-retroceso. En el circuito, la fuente (S) del MOSFET de canal N está conectada al terminal negativo de la carga, el drenaje (D) está conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación y la puerta (G) está conectada a el terminal negativo de la fuente de alimentación a través de una resistencia o controlado por un circuito de control.

Conexión directa: el terminal positivo de la fuente de alimentación está conectado a D y el terminal negativo está conectado a S. En este momento, la resistencia proporciona el voltaje de fuente de puerta (VGS) para el MOSFET, y cuando VGS es mayor que el umbral voltaje (Vth) del MOSFET, el MOSFET conduce y la corriente fluye desde el terminal positivo de la fuente de alimentación a la carga a través del MOSFET.

Cuando se invierte: el terminal positivo de la fuente de alimentación está conectado a S y el terminal negativo está conectado a D. En este momento, el MOSFET está en un estado de corte y el circuito está desconectado para proteger la carga contra daños debido al voltaje de la puerta. no es capaz de formar un VGS suficiente para que el MOSFET se conduzca (VGS puede ser menor que 0 o mucho menor que Vth).

2. Papel de los componentes auxiliares

Resistencia: Se utiliza para proporcionar voltaje de fuente de compuerta para MOSFET y limitar la corriente de compuerta para evitar daños por sobrecorriente de compuerta.

Regulador de voltaje: un componente opcional que se utiliza para evitar que el voltaje de la fuente de la puerta sea demasiado alto y rompa el MOSFET.

Diodo parásito: existe un diodo parásito (diodo del cuerpo) dentro del MOSFET, pero el diseño del circuito generalmente ignora o evita su efecto para evitar su efecto perjudicial en los circuitos anti-inversos.

En tercer lugar, las ventajas del circuito antirretroceso MOSFET.

Baja pérdida: la resistencia de encendido del MOSFET es pequeña, el voltaje de resistencia de encendido se reduce, por lo que la pérdida del circuito es pequeña.

Alta confiabilidad: la función anti-reversa se puede realizar mediante un diseño de circuito simple y el propio MOSFET tiene un alto grado de confiabilidad.

Flexibilidad: se pueden seleccionar diferentes modelos de MOSFET y diseños de circuitos para cumplir con diferentes requisitos de aplicación.

Precauciones

En el diseño del circuito antirretroceso MOSFET, debe asegurarse de que la selección de MOSFET cumpla con los requisitos de la aplicación, incluidos voltaje, corriente, velocidad de conmutación y otros parámetros.

Es necesario considerar la influencia de otros componentes en el circuito, como la capacitancia parásita, la inductancia parásita, etc., para evitar efectos adversos en el rendimiento del circuito.

En aplicaciones prácticas, también se requieren pruebas y verificación adecuadas para garantizar la estabilidad y confiabilidad del circuito.

En resumen, el circuito antirretroceso MOSFET es un esquema de protección de fuente de alimentación simple, confiable y de baja pérdida que se usa ampliamente en una variedad de aplicaciones que requieren la prevención de la polaridad inversa de energía.