Características de conducción de MOSFET

La conductividad MOSFET significa que se usa como un interruptor, lo que equivale al cierre de un interruptor. NMOS se caracteriza por conducir cuando Vgs excede un valor limitado, lo que se aplica a la condición con la fuente conectada a un dispositivo conectado a tierra, y solo necesita la puerta. El voltaje debe ser de 4V o 10V.PMOS, por otro lado, conduce cuando Vgs cae por debajo de cierto valor y es adecuado para situaciones en las que la fuente está conectada a Vcc. Sin embargo, aunque PMOS puede ser conveniente como controlador de alta calidad, NMOS se usa generalmente en controladores de alta calidad debido a su gran resistencia, alto precio y costo, y pocos tipos de reemplazo.

Ya sea que seaNMOSo PMOS, habrá resistencia después de la resistencia, de modo que la corriente en la resistencia consuma una cierta cantidad de energía, este consumo se llama pérdida de resistencia. En este punto, simplemente elegimos la resistencia de los MOSFET pequeños que pueden reducir la pérdida de resistencia, la baja potencia actual.MOSFETLa resistencia de encendido es generalmente de decenas de miliohmios, o incluso unos pocos miliohmios de la apariencia del MOS en el caso de encendido y al finalizar la situación no es en un instante.
El voltaje en ambos lados del MOS tiene un proceso de disminución, la corriente que fluye a través del proceso de aumento, en este período de tiempo, el voltaje y la corriente multiplicados por el tamaño de la pérdida del MOSFET. La pérdida de conmutación general es mucho mayor que la pérdida de conducción, y cuanto mayor sea la frecuencia de conmutación, mayor será la pérdida. Cuanto mayor sea la multiplicación del voltaje y la corriente en el momento de la conducción, mayor será la pérdida. Si podemos reducir el tiempo de conmutación, podemos reducir la pérdida en cada conducción, reducir la frecuencia de conmutación y también podemos reducir la frecuencia de conmutación dentro de un cierto período de tiempo, para reducir la pérdida de conmutación.

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