En contraste con el triodo de cristal giratorio dual, generalmente se considera que hacer elMOSFETLa conducción no utiliza un flujo eléctrico, solo requiere que el voltaje GS sea superior a un cierto valor. Es relativamente fácil hacer esto, principalmente necesitamos una tasa determinada.
Para la estructura del MOSFET, podemos encontrar que en GS y GD habrá cierta capacitancia parásita, y el controlador MOSFET, de hecho, es para cargar y descargar capacitancia. Para cargar capacitores solo necesitamos una corriente, ya que el capacitor en el momento de carga es equivalente al capacitor como cortocircuito, esta vez la corriente instantánea será mayor que el valor de la situación general. Por lo tanto, cuando seleccionamos o diseñamos un programa de circuito de control MOSFET, lo primero a lo que debemos prestar atención es el tamaño de la corriente de cortocircuito instantánea que se puede proporcionar.
En segundo lugar, NMOS, que se usa ampliamente para unidades de alta gama, debe permitir que el voltaje de la puerta exceda el voltaje de la fuente cuando conduce. MOSFET de unidad de gama alta en el tiempo de encendido, el tamaño del voltaje de fuente y del voltaje de drenaje es el mismo, por lo que esta vez el voltaje de la compuerta debe ser 4 V o 10 V mayor que Vcc. Si en el mismo sistema desea obtener un voltaje de puerta mayor que Vcc, debe especializarse en controlar el circuito de voltaje. Muchos controladores de motor están compuestos por bombas de carga; cabe señalar que debemos elegir el condensador externo adecuado para obtener suficiente corriente de cortocircuito para accionar el MOSFET.
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Hora de publicación: 06-jul-2024
