AgotamientoMOSFET, también conocido como agotamiento de MOSFET, es un estado operativo importante de los tubos de efecto de campo. La siguiente es una descripción detallada del mismo:
Definiciones y características
DEFINICIÓN: Un agotamientoMOSFETes un tipo especial deMOSFETque es capaz de conducir electricidad porque los portadores ya están presentes en su canal cuando el voltaje de la puerta es cero o está dentro de un rango específico. Esto contrasta con la mejoraMOSFETque requieren un cierto valor de voltaje de puerta para formar un canal conductor.
Características: Tipo de agotamientoMOSFETTiene las ventajas de una alta impedancia de entrada, baja corriente de fuga y baja impedancia de conmutación. Estas características lo hacen valioso para una amplia gama de aplicaciones en el diseño de circuitos.
Principio de funcionamiento
El principio operativo del agotamiento.MOSFETse puede controlar cambiando el voltaje de la puerta para controlar el número de portadoras en el canal y, por lo tanto, la corriente. El proceso operativo se puede resumir en las siguientes etapas:
estado prohibido: Cuando el voltaje de la puerta está por debajo del voltaje crítico entre el canal y la fuente, el dispositivo está en el estado prohibido y no pasa corriente a través delMOSFET.
Estado de resistencia negativa: A medida que aumenta el voltaje de la puerta, la carga comienza a acumularse en el canal, creando un efecto de resistencia negativo. Al ajustar el voltaje de la puerta, se puede controlar la fuerza de la resistencia negativa, controlando así la corriente en el canal.
EN ESTADO: Cuando el voltaje de la puerta continúa aumentando más allá de un voltaje crítico,el MOSFETentra en estado ON y una gran cantidad de electrones y huecos son transportados a través del canal, creando una corriente significativa.
Saturación: En el estado encendido, la corriente en el canal alcanza un nivel de saturación, momento en el cual continuar aumentando el voltaje de la puerta ya no aumenta significativamente la corriente.
Estado de corte(nota: la descripción aquí del "estado límite" puede ser ligeramente diferente de otra literatura porque el agotamientoMOSFETsiempre conducir bajo ciertas condiciones): Bajo ciertas circunstancias (por ejemplo, un cambio extremo en el voltaje de la puerta), un agotamientoMOSFETpuede entrar en un estado de baja conducción, pero no se corta por completo.
Áreas de aplicación
Tipo de agotamientoMOSFETtienen una amplia gama de aplicaciones en varios campos debido a sus características de rendimiento únicas:
Gestión de energía: Utiliza su alta impedancia de entrada y sus características de baja corriente de fuga para lograr una conversión de energía eficiente en circuitos de administración de energía.
Circuitos analógicos y digitales.: juegan un papel importante en circuitos analógicos y digitales como elementos de conmutación o fuentes de corriente.
accionamiento motorizado: el control preciso de la velocidad del motor y la dirección se realiza controlando la conducción y el corte deMOSFET.
Circuito inversor: En sistemas de generación de energía solar y sistemas de comunicación por radio, como uno de los componentes clave del inversor, para realizar la conversión de CC a CA.
Regulador de voltaje: Al ajustar el tamaño del voltaje de salida, se logra una salida estable de voltaje y se garantiza el funcionamiento normal de los equipos electrónicos.
advertencia
En aplicaciones prácticas, es necesario seleccionar el agotamiento apropiado.MOSFETModelo y parámetros según las necesidades específicas.
Desde el tipo de agotamientoMOSFEToperar de manera diferente al tipo de mejoraMOSFET, requieren especial atención en el diseño y optimización de circuitos.
En resumen, tipo de agotamiento.MOSFET, como componente electrónico importante, tiene una amplia gama de perspectivas de aplicación en el campo de la electrónica. Con el progreso continuo de la ciencia y la tecnología y el aumento de la demanda de aplicaciones, su rendimiento y alcance de aplicación también continuarán expandiéndose y mejorando.
Hora de publicación: 14 de septiembre de 2024
