MOSFET, conocido como transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico, es un dispositivo electrónico ampliamente utilizado que pertenece a un tipo de transistor de efecto de campo (FET). La estructura principal deun MOSFETConsta de una puerta metálica, una capa aislante de óxido (normalmente dióxido de silicio SiO₂) y una capa semiconductora (normalmente silicio Si). El principio de funcionamiento es controlar el voltaje de la puerta para cambiar el campo eléctrico en la superficie o dentro del semiconductor, controlando así la corriente entre la fuente y el drenaje.
MOSFETse pueden clasificar en dos tipos principales: canal NMOSFET(NMOS) y canal PMOSFET(PMOS). En NMOS, cuando el voltaje de la puerta es positivo con respecto a la fuente, se forman canales conductores de tipo n en la superficie del semiconductor, lo que permite que los electrones fluyan desde la fuente hasta el drenaje. En PMOS, cuando el voltaje de la puerta es negativo con respecto a la fuente, se forman canales conductores de tipo p en la superficie del semiconductor, lo que permite que los agujeros fluyan desde la fuente hasta el drenaje.
MOSFETtienen muchas ventajas, como alta impedancia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y facilidad de integración, por lo que se utilizan ampliamente en circuitos analógicos, circuitos digitales, administración de energía, electrónica de potencia, sistemas de comunicación y otros campos. En los circuitos integrados,MOSFETson las unidades básicas que componen los circuitos lógicos CMOS (Semiconductor complementario de óxido metálico). Los circuitos CMOS combinan las ventajas de NMOS y PMOS y se caracterizan por su bajo consumo de energía, alta velocidad y alta integración.
Además,MOSFETse pueden clasificar en tipo de mejora y tipo de agotamiento según si sus canales de conducción están preformados. Tipo de mejoraMOSFETen la puerta, el voltaje es cero cuando el canal no es conductor, es necesario aplicar un cierto voltaje de puerta para formar un canal conductor; mientras que el tipo de agotamientoMOSFETEn el voltaje de la puerta es cero cuando el canal ya es conductor, el voltaje de la puerta se usa para controlar la conductividad del canal.
En resumen,MOSFETes un transistor de efecto de campo basado en una estructura semiconductora de óxido metálico, que regula la corriente entre la fuente y el drenaje controlando el voltaje de la puerta, y tiene una amplia gama de aplicaciones y un valor técnico importante.
Hora de publicación: 12 de septiembre de 2024
