Los MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico) a menudo se consideran dispositivos totalmente controlados. Esto se debe a que el estado operativo (encendido o apagado) del MOSFET está completamente controlado por el voltaje de puerta (Vgs) y no depende de la corriente de base como en el caso de un transistor bipolar (BJT).
En un MOSFET, el voltaje de puerta Vgs determina si se forma un canal conductor entre la fuente y el drenaje, así como el ancho y la conductividad del canal conductor. Cuando Vgs excede el voltaje umbral Vt, se forma el canal conductor y el MOSFET entra en estado encendido; cuando Vgs cae por debajo de Vt, el canal conductor desaparece y el MOSFET queda en estado de corte. Este control está totalmente controlado porque el voltaje de la puerta puede controlar de forma independiente y precisa el estado operativo del MOSFET sin depender de otros parámetros de corriente o voltaje.
Por el contrario, el estado operativo de dispositivos semicontrolados (p. ej., tiristores) no sólo se ve afectado por la tensión o corriente de control, sino también por otros factores (p. ej., tensión del ánodo, corriente, etc.). Como resultado, los dispositivos totalmente controlados (por ejemplo, MOSFET) suelen ofrecer un mejor rendimiento en términos de precisión y flexibilidad del control.
En resumen, los MOSFET son dispositivos totalmente controlados cuyo estado operativo está completamente controlado por el voltaje de la puerta y tienen las ventajas de alta precisión, alta flexibilidad y bajo consumo de energía.
Hora de publicación: 20-sep-2024
