Transistor de efecto de campo abreviado comoMOSFETHay dos tipos principales: tubos de efecto de campo de unión y tubos de efecto de campo semiconductores de óxido metálico. El MOSFET también se conoce como transistor unipolar con una mayoría de portadores involucrados en la conductividad. Son dispositivos semiconductores controlados por voltaje. Debido a su alta resistencia de entrada, bajo ruido, bajo consumo de energía y otras características, lo convierten en un fuerte competidor de los transistores bipolares y los transistores de potencia.
I. Parámetros principales del MOSFET
1, parámetros de CC
La corriente de drenaje de saturación se puede definir como la corriente de drenaje correspondiente a cuando el voltaje entre la puerta y la fuente es igual a cero y el voltaje entre el drenaje y la fuente es mayor que el voltaje de pinzamiento.
Tensión de pellizco ARRIBA: El UGS requiere reducir el ID a una corriente pequeña cuando el UDS está seguro;
Voltaje de encendido UT: se requiere UGS para llevar ID a un valor determinado cuando UDS es seguro.
2、Parámetros de CA
Transconductancia gm de baja frecuencia: describe el efecto de control del voltaje de puerta y fuente sobre la corriente de drenaje.
Capacitancia interpolar: la capacitancia entre los tres electrodos del MOSFET, cuanto menor sea el valor, mejor será el rendimiento.
3、Limitar parámetros
Drenaje, voltaje de ruptura de la fuente: cuando la corriente de drenaje aumenta bruscamente, producirá una avalancha de ruptura cuando el UDS.
Voltaje de ruptura de la puerta: funcionamiento normal del tubo de efecto de campo de la unión, la puerta y la fuente entre la unión PN en el estado de polarización inversa, la corriente es demasiado grande para producir una ruptura.
II. Características deMOSFET
MOSFET tiene una función de amplificación y puede formar un circuito amplificado. Comparado con un triodo, tiene las siguientes características.
(1) El MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje y el potencial está controlado por UGS;
(2) La corriente en la entrada del MOSFET es extremadamente pequeña, por lo que su resistencia de entrada es muy alta;
(3) Su estabilidad de temperatura es buena porque utiliza portadores mayoritarios para la conductividad;
(4) El coeficiente de amplificación de voltaje de su circuito de amplificación es menor que el de un triodo;
(5) Es más resistente a la radiación.
Tercero,MOSFET y comparación de transistores
(1) La fuente MOSFET, la compuerta, el drenaje y la fuente triodo, la base y el polo del punto de ajuste corresponden al papel de similar.
(2) MOSFET es un dispositivo de corriente controlado por voltaje, el coeficiente de amplificación es pequeño y la capacidad de amplificación es pobre; El triodo es un dispositivo de voltaje controlado por corriente, la capacidad de amplificación es fuerte.
(3) La puerta MOSFET básicamente no consume corriente; y triodo, la base absorberá una cierta corriente. Por lo tanto, la resistencia de entrada de la compuerta MOSFET es mayor que la resistencia de entrada del triodo.
(4) El proceso conductor del MOSFET tiene la participación de politrón, y el triodo tiene la participación de dos tipos de portadores, politrón y oligotrón, y su concentración de oligotrón se ve muy afectada por la temperatura, la radiación y otros factores, por lo tanto, MOSFET Tiene mejor estabilidad de temperatura y resistencia a la radiación que el transistor. Se debe seleccionar MOSFET cuando las condiciones ambientales cambian mucho.
(5) Cuando el MOSFET está conectado al metal fuente y al sustrato, la fuente y el drenaje se pueden intercambiar y las características no cambian mucho, mientras que cuando se intercambian el colector y el emisor del transistor, las características son diferentes y el valor β se reduce.
(6) La figura de ruido del MOSFET es pequeña.
(7) MOSFET y triodo pueden estar compuestos por una variedad de circuitos amplificadores y circuitos de conmutación, pero el primero consume menos energía, alta estabilidad térmica y amplio rango de voltaje de suministro, por lo que se usa ampliamente en aplicaciones a gran escala y ultragrandes. Circuitos integrados a escala.
(8) La resistencia de encendido del triodo es grande y la resistencia de encendido del MOSFET es pequeña, por lo que los MOSFET se usan generalmente como interruptores con mayor eficiencia.
Hora de publicación: 16 de mayo de 2024
