Estructura de óxido metálico-semiconductor del transistor de cristal comúnmente conocido comoMOSFET, donde los MOSFET se dividen en MOSFET de tipo P y MOSFET de tipo N. Los circuitos integrados compuestos por MOSFET también se denominan circuitos integrados MOSFET, y los circuitos integrados MOSFET estrechamente relacionados compuestos por PMOSFET yNMOSFET se denominan circuitos integrados CMOSFET.
Un MOSFET que consta de un sustrato tipo p y dos áreas de dispersión n con altos valores de concentración se denomina canal n.MOSFET, y el canal conductor causado por un canal conductor de tipo n es causado por las n rutas de expansión en las dos n rutas de expansión con altos valores de concentración cuando el tubo conduce. Los MOSFET engrosados de canal n tienen el canal n causado por un canal conductor cuando se eleva una polarización direccional positiva tanto como sea posible en la puerta y solo cuando la operación de la fuente de la puerta requiere un voltaje de operación que excede el voltaje umbral. Los MOSFET de agotamiento de canal n son aquellos que no están preparados para el voltaje de la puerta (el funcionamiento de la fuente de la puerta requiere un voltaje de funcionamiento de cero). Un MOSFET de agotamiento de luz de canal n es un MOSFET de canal n en el que el canal conductor se genera cuando el voltaje de la puerta (el voltaje de operación del requisito operativo de la fuente de la puerta es cero) no está preparado.
Los circuitos integrados NMOSFET son circuitos de fuente de alimentación MOSFET de canal N, circuitos integrados NMOSFET, la resistencia de entrada es muy alta, la gran mayoría no tiene que digerir la absorción del flujo de energía y, por lo tanto, los circuitos integrados CMOSFET y NMOSFET se conectan sin tener que tener en cuenta cuenta la carga del flujo de energía. Circuitos integrados NMOSFET, la gran mayoría de la selección de un circuito de fuente de alimentación de conmutación positiva de un solo grupo circuitos de fuente de alimentación La mayoría de los circuitos integrados NMOSFET utilizan un único circuito de fuente de alimentación de conmutación positiva, y para 9V para más. Los circuitos integrados CMOSFET solo necesitan utilizar el mismo circuito de fuente de alimentación conmutada que los circuitos integrados NMOSFET y se pueden conectar con los circuitos integrados NMOSFET inmediatamente. Sin embargo, de NMOSFET a CMOSFET se conecta inmediatamente, debido a que la resistencia pull-up de salida del NMOSFET es menor que la resistencia pull-up codificada del circuito integrado CMOSFET, intente aplicar una resistencia pull-up de diferencia de potencial R, el valor de la resistencia R es generalmente de 2 a 100 KΩ.
Construcción de MOSFET engrosados de canal N
Sobre un sustrato de silicio tipo P con un valor de concentración de dopaje bajo, se crean dos regiones N con un valor de concentración de dopaje alto y se extraen dos electrodos de metal de aluminio para que sirvan como drenaje d y fuente s, respectivamente.
Luego, en la superficie del componente semiconductor, se enmascara una capa muy delgada de tubo aislante de sílice, en el tubo aislante de drenaje-fuente entre el drenaje y la fuente de otro electrodo de aluminio, como la puerta g.
En el sustrato también se encuentra un electrodo B, que consta de un MOSFET grueso de canal N. La fuente MOSFET y el sustrato generalmente están conectados entre sí, la gran mayoría de las tuberías en la fábrica han estado conectadas a él durante mucho tiempo, su compuerta y otros electrodos están aislados entre la carcasa.
Hora de publicación: 26 de mayo de 2024
