Como uno de los dispositivos más básicos en el campo de los semiconductores, el MOSFET se utiliza ampliamente tanto en el diseño de circuitos integrados como en aplicaciones de circuitos a nivel de placa. Entonces, ¿cuánto sabes sobre los distintos parámetros de MOSFET? Como especialista en MOSFET de media y baja tensión,olukey¡Le explicaremos en detalle los distintos parámetros de los MOSFET!
Tensión soportada máxima drenaje-fuente VDSS
El voltaje de la fuente de drenaje cuando la corriente de drenaje que fluye alcanza un valor específico (aumenta bruscamente) bajo una temperatura específica y un cortocircuito de la fuente de puerta. La tensión drenaje-fuente en este caso también se denomina tensión de ruptura de avalancha. VDSS tiene un coeficiente de temperatura positivo. A -50°C, el VDSS es aproximadamente el 90% del que a 25°C. Debido al margen que normalmente se deja en la producción normal, el voltaje de ruptura de avalancha deMOSFETes siempre mayor que la tensión nominal nominal.
Cálido recordatorio de Olukey: Para garantizar la confiabilidad del producto, en las peores condiciones de trabajo, se recomienda que el voltaje de trabajo no exceda el 80 ~ 90% del valor nominal.
Tensión soportada máxima puerta-fuente VGSS
Se refiere al valor VGS cuando la corriente inversa entre la puerta y la fuente comienza a aumentar bruscamente. Exceder este valor de voltaje provocará una ruptura dieléctrica de la capa de óxido de la puerta, que es una ruptura destructiva e irreversible.
ID máxima corriente drenaje-fuente
Se refiere a la corriente máxima permitida que pasa entre el drenaje y la fuente cuando el transistor de efecto de campo está funcionando normalmente. La corriente de funcionamiento del MOSFET no debe exceder el ID. Este parámetro se reducirá a medida que aumente la temperatura de la unión.
Corriente máxima de fuente de drenaje de pulso IDM
Refleja el nivel de corriente de pulso que el dispositivo puede manejar. Este parámetro disminuirá a medida que aumente la temperatura de la unión. Si este parámetro es demasiado pequeño, el sistema puede correr el riesgo de fallar por la corriente durante la prueba de OCP.
Disipación de potencia máxima PD
Se refiere a la máxima disipación de potencia de la fuente de drenaje permitida sin deteriorar el rendimiento del transistor de efecto de campo. Cuando se utiliza, el consumo de energía real del transistor de efecto de campo debe ser menor que el del PDSM y dejar un cierto margen. Este parámetro generalmente se reduce a medida que aumenta la temperatura de la unión.
Rango de temperatura de funcionamiento y temperatura ambiente de almacenamiento de TJ, TSTG
Estos dos parámetros calibran el rango de temperatura de unión permitido por el entorno operativo y de almacenamiento del dispositivo. Este rango de temperatura está configurado para cumplir con los requisitos mínimos de vida útil del dispositivo. Si se garantiza que el dispositivo funcione dentro de este rango de temperatura, su vida útil se prolongará considerablemente.
Hora de publicación: 15 de diciembre de 2023
