Hay muchos tipos de parámetros principales deMOSFET, que contienen corriente CC, parámetros de corriente CA y parámetros límite, pero la aplicación general solo necesita preocuparse por los siguientes parámetros básicos: estado de saturación de la fuente de fuga corriente IDSS voltaje de pellizco Up, transconductancia gm, voltaje de ruptura de la fuente de fuga BUDS, mayor pérdida de potencia de salida PDSM y mayor corriente de fuente de fuga IDSM.
1. Corriente de fuente de fuga saturada
La corriente saturada de fuente de drenaje IDSS significa la corriente de fuente de drenaje con voltaje de compuerta UGS = 0 en MOSFET de compuerta de capa aislada de tipo unión o agotamiento.
2. Tensión de corte
El voltaje de pellizco UP significa el voltaje de operación del voltaje de la puerta en una puerta de capa aislada de tipo unión o agotamiento.MOSFETeso hace que la fuente de drenaje esté simplemente cortada. Descubra qué significan realmente IDSS y UP.
3 、 Encienda el voltaje
El voltaje de encendido UT significa el voltaje de operación del voltaje de compuerta en un MOSFET de compuerta aislada reforzada de modo que la interconexión drenaje-fuente recién se enciende. Descubra qué significa realmente UT.
4.Guía cruzada
El transguide gm se utiliza para indicar la capacidad del voltaje de la fuente de la compuerta para controlar la corriente de drenaje, es decir, la relación entre el cambio de la corriente de drenaje y el cambio del voltaje de la fuente de la compuerta.
5 、 Pérdida máxima de potencia de salidar
La potencia de salida de pérdida máxima también pertenece al parámetro límite, lo que significa la potencia de pérdida máxima de fuente de drenaje que se puede permitir cuando el rendimiento delMOSFETes normal y no se ve afectado. Cuando utilizamos el MOSFET, su pérdida funcional debe ser menor que la del PDSM y un valor determinado.
6 、 corriente máxima de fuente de fuga
La corriente máxima de drenaje-fuente, IDSM, también es un parámetro limitante, lo que significa la corriente máxima permitida para pasar entre el drenaje y la fuente de un MOSFET durante el funcionamiento normal, y no debe excederse cuando el MOSFET está en funcionamiento.
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Hora de publicación: 07-jul-2024
