La industria de componentes electrónicos ha llegado a donde está ahora sin la ayuda deMOSFETy transistores de efecto de campo. Sin embargo, para algunas personas que son nuevas en la industria electrónica, a menudo es fácil confundir los MOSFET y los transistores de efecto de campo. ¿Cuál es la conexión detrás de los MOSFET y los transistores de efecto de campo? ¿Es un MOSFET un transistor de efecto de campo o no?
De hecho, de acuerdo con la inclusión de estos componentes electrónicos, dicho MOSFET es el transistor de efecto de campo no es un problema, pero al revés no es correcto, es decir, el transistor de efecto de campo no solo incluye MOSFET, sino que también incluye otros componentes electrónicos.
Los transistores de efecto de campo se pueden dividir en tubos de unión y MOSFET. En comparación con los MOSFET, los tubos de unión se utilizan con menos frecuencia, por lo que la frecuencia de mención de los tubos de unión también es muy baja, y los MOSFET y los transistores de efecto de campo se mencionan a menudo, por lo que es fácil dar una mala interpretación de que son el mismo tipo de componentes.
MOSFETSe puede dividir en tipo de mejora y tipo de agotamiento, el principio de funcionamiento de estos dos componentes electrónicos es ligeramente diferente, el tubo de tipo de mejora en la puerta (G) más el voltaje positivo, el drenaje (D) y la fuente (S) para conduce, mientras que el tipo de agotamiento incluso si la puerta (G) no se suma al voltaje positivo, el drenaje (D) y la fuente (S) también son conductores.
Aquí la clasificación del transistor de efecto de campo no ha terminado, cada tipo de tubo se puede dividir en tubos tipo N y tubos tipo P, por lo que el transistor de efecto de campo se puede dividir en seis tipos de tubos a continuación, respectivamente, canal N transistores de efecto de campo de unión, transistores de efecto de campo de unión de canal P, transistores de efecto de campo de mejora de canal N, transistores de efecto de campo de mejora de canal P, transistores de efecto de campo de agotamiento de canal N y transistores de efecto de campo de tipo agotamiento de canal P.
Cada componente en el diagrama de circuito de los símbolos del circuito es diferente, por ejemplo, la siguiente imagen enumera los símbolos del circuito de los dos tipos de tubos de unión, la flecha del pin No. 2 apunta al tubo para el transistor de efecto de campo de unión de canal N , apuntando hacia afuera está el transistor de efecto de campo de unión del canal P.
MOSFETy la diferencia entre los símbolos del circuito del tubo de unión sigue siendo relativamente grande, el transistor de efecto de campo de tipo de agotamiento de canal N y el transistor de efecto de campo de tipo de agotamiento de canal P, la misma flecha apunta a la tubería para el tipo N, apuntando hacia afuera es el tubo tipo P . De manera similar, la distinción entre transistores de efecto de campo de tipo mejorado de canal N y transistores de efecto de campo de tipo mejorado de canal P también se basa en la dirección de la flecha: apuntar hacia el tubo es de tipo N y apuntar hacia afuera es de tipo P.
Los símbolos del circuito de los transistores de efecto de campo de mejora (incluidos los tubos tipo N y los tubos tipo P) y los transistores de efecto de campo de agotamiento (incluidos los tubos tipo N y los tubos tipo P) están muy cerca. La diferencia entre ambos es que uno de los símbolos está representado por una línea discontinua y el otro por una línea continua. La línea de puntos indica un transistor de efecto de campo de mejora y la línea continua indica un transistor de efecto de campo de agotamiento.
Hora de publicación: 25 de abril de 2024
