¿Cuál es el principio de funcionamiento del MOSFET?

Título MOSFET (abreviatura de transistor de efecto de campo (FET))MOSFET. por un pequeño número de portadores para participar en la conductividad térmica, también conocido como transistor de unión multipolar. Está categorizado como un dispositivo semisuperconductor controlado por voltaje. La resistencia de salida existente es alta (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), bajo ruido, bajo consumo de energía, rango estático, fácil de integrar, sin segundo fenómeno de avería, la tarea de seguro del ancho mar y otras ventajas, ahora ha cambiado el transistor de unión bipolar y transistor de unión de potencia de los colaboradores fuertes.

Características MOSFET

Primero: MOSFET es un dispositivo de control de voltaje, a través del VGS (voltaje de fuente de puerta) para controlar el ID (drenaje de CC);

Segundo:MOSFETLa salida DC es muy pequeña, por lo que su resistencia de salida es muy grande.

Tres: se le aplican unos cuantos portadores para conducir el calor, y así tiene una mayor medida de estabilidad;

Cuatro: consta de un camino reducido de reducción eléctrica de pequeños coeficientes para ser más pequeño que el transistor consiste en un camino reducido de reducción eléctrica de pequeños coeficientes;

Quinto: poder antirradiación MOSFET;

Seis: porque no hay actividad defectuosa de la dispersión minoritaria causada por partículas de ruido dispersas, porque el ruido es bajo.

Principio de tarea MOSFET

MOSFETEl principio de la tarea se resume en una frase, es decir, "drenaje-fuente camina a través del canal entre el ID, con el electrodo y el canal entre el pn construido en un voltaje de electrodo de polarización inversa para dominar el ID". Más exactamente, la amplitud de ID a través del circuito, es decir, el área de la sección transversal del canal, es debido a la variación contrapolada de la unión pn, la aparición de la capa de agotamiento para expandir la variación del dominio de la razón. En el mar no saturado de VGS=0, la expansión de la capa de transición indicada no es muy grande porque, de acuerdo con el campo magnético de VDS añadido entre el drenaje-fuente, algunos electrones en el mar fuente son arrastrados por el drenaje. , es decir, hay una actividad de identificación de CC desde el drenaje hasta la fuente. La capa moderada que se expande desde la compuerta hasta el drenaje formará una especie de obstrucción de todo el cuerpo del canal, lleno de DI. Consulte este patrón como pellizco. Esto simboliza que la capa de transición obstruye la totalidad del canal, y no es que el DC esté cortado.

En la capa de transición, debido a que no hay automovimiento de electrones y huecos, en la forma real de las características aislantes de la existencia de la corriente continua general es difícil moverse. Sin embargo, el campo magnético entre el drenaje y la fuente, en la práctica, las dos capas de transición entran en contacto con el drenaje y el polo de la puerta en la parte inferior izquierda, porque el campo magnético de deriva atrae los electrones de alta velocidad a través de la capa de transición. Porque la fuerza del campo magnético de deriva simplemente no cambia la plenitud de la escena de la identificación. En segundo lugar, VGS cambia a la posición negativa, de modo que VGS = VGS (apagado), luego la capa de transición cambia en gran medida la forma de cubrir todo el mar. Y el campo magnético de VDS se agrega en gran medida a la capa de transición, el campo magnético que atrae al electrón a la posición de deriva, siempre que esté cerca del polo fuente del todo muy corto, lo que es más para que la potencia de CC no sea capaz de estancarse.