¡La diferencia entre MOSFET de canal N y MOSFET de canal P! ¡Le ayudaremos a elegir mejor los fabricantes de MOSFET! -Olukey

Los diseñadores de circuitos deben haber considerado una pregunta al elegir los MOSFET: ¿deberían elegir MOSFET de canal P o MOSFET de canal N? Como fabricante, debe desear que sus productos compitan con otros comerciantes a precios más bajos y también debe realizar comparaciones repetidas. Entonces, ¿cómo elegir? OLUKEY, un fabricante de MOSFET con 20 años de experiencia, quisiera compartir con usted.

Diferencia 1: características de conducción

Las características del MOS de canal N son que se encenderá cuando Vgs sea mayor que un cierto valor. Es adecuado para su uso cuando la fuente está conectada a tierra (variador de gama baja), siempre que el voltaje de la puerta alcance 4 V o 10 V. En cuanto a las características del MOS de canal P, se encenderá cuando Vgs sea inferior a un cierto valor, lo cual es adecuado para situaciones en las que la fuente está conectada a VCC (unidad de gama alta).

Diferencia 2:MOSFETpérdida de conmutación

Ya sea MOS de canal N o MOS de canal P, hay una resistencia de encendido después de encenderlo, por lo que la corriente consumirá energía en esta resistencia. Esta parte de la energía consumida se llama pérdida por conducción. La elección de un MOSFET con una pequeña resistencia de encendido reducirá la pérdida de conducción, y la resistencia de encendido de los MOSFET actuales de baja potencia es generalmente de alrededor de decenas de miliohmios, y también hay varios miliohmios. Además, cuando MOS se enciende y apaga, no debe completarse instantáneamente. Hay un proceso decreciente y la corriente que fluye también tiene un proceso creciente.

Durante este período, la pérdida del MOSFET es el producto del voltaje y la corriente, lo que se denomina pérdida de conmutación. Por lo general, las pérdidas por conmutación son mucho mayores que las pérdidas por conducción y cuanto mayor es la frecuencia de conmutación, mayores son las pérdidas. El producto del voltaje y la corriente en el momento de la conducción es muy grande y la pérdida causada también es muy grande, por lo que acortar el tiempo de conmutación reduce la pérdida durante cada conducción; Reducir la frecuencia de conmutación puede reducir el número de cambios por unidad de tiempo.

Diferencia tres: uso de MOSFET

La movilidad del orificio del MOSFET de canal P es baja, por lo que cuando el tamaño geométrico del MOSFET y el valor absoluto del voltaje de funcionamiento son iguales, la transconductancia del MOSFET de canal P es menor que la del MOSFET de canal N. Además, el valor absoluto del voltaje umbral del MOSFET de canal P es relativamente alto, lo que requiere un voltaje de funcionamiento más alto. El MOS de canal P tiene una gran oscilación lógica, un largo proceso de carga y descarga y una pequeña transconductancia del dispositivo, por lo que su velocidad de funcionamiento es menor. Después de la aparición de los MOSFET de canal N, la mayoría de ellos han sido reemplazados por MOSFET de canal N. Sin embargo, debido a que el MOSFET de canal P tiene un proceso simple y es económico, algunos circuitos de control digital de mediana y pequeña escala todavía utilizan la tecnología de circuito PMOS.

Bien, eso es todo lo que hoy comparte OLUKEY, un fabricante de MOSFET de embalaje. Para más información, puedes encontrarnos en elOLUKEYsitio web oficial. OLUKEY se ha centrado en MOSFET durante 20 años y tiene su sede en Shenzhen, provincia de Guangdong, China. Principalmente dedicados a transistores de efecto de campo de alta corriente, MOSFET de alta potencia, MOSFET de paquete grande, MOSFET de pequeño voltaje, MOSFET de paquete pequeño, MOSFET de corriente pequeña, tubos de efecto de campo MOS, MOSFET empaquetados, MOS de potencia, paquetes MOSFET, MOSFET originales, MOSFET empaquetados, etc. El producto agente principal es WINSOK.