¿Cuáles son las causas del calentamiento del MOSFET inversor?

El MOSFET del inversor funciona en un estado de conmutación y la corriente que fluye a través del MOSFET es muy alta. Si el MOSFET no se selecciona correctamente, la amplitud del voltaje de excitación no es lo suficientemente grande o la disipación de calor del circuito no es buena, puede causar que el MOSFET se caliente.

1, el calentamiento del inversor MOSFET es grave, se debe prestar atención alMOSFETselección

MOSFET en el inversor en el estado de conmutación, generalmente requiere que su corriente de drenaje sea lo más grande posible y su resistencia de encendido sea lo más pequeña posible, de modo que pueda reducir la caída de voltaje de saturación del MOSFET, reduciendo así el MOSFET ya que el consumo, reduce el calor.

Consulte el manual de MOSFET, encontraremos que cuanto mayor sea el valor de voltaje soportado del MOSFET, mayor será su resistencia, y aquellos con alta corriente de drenaje y bajo valor de voltaje soportado del MOSFET, su resistencia generalmente es inferior a decenas de miliohmios.

Suponiendo que la corriente de carga es de 5A, elegimos el inversor comúnmente usado MOSFETRU75N08R y el valor de voltaje soportado de 500V 840 puede ser, su corriente de drenaje es de 5A o más, pero la resistencia de los dos MOSFET es diferente, impulsa la misma corriente. , su diferencia de calor es muy grande. La resistencia de encendido del 75N08R es de solo 0,008 Ω, mientras que la resistencia de encendido del 840 es de solo 0,008 Ω, mientras que la resistencia de encendido del 840 es de 0,85 Ω. Cuando la corriente de carga que fluye a través del MOSFET es de 5 A, la caída de voltaje del MOSFET del 75N08R es de solo 0,04 V y el consumo del MOSFET del MOSFET es de solo 0,2 W, mientras que la caída de voltaje del MOSFET del 840 puede ser de hasta 4,25 W y el consumo de MOSFET es tan alto como 21,25W. A partir de esto, se puede ver que la resistencia del MOSFET es diferente de la resistencia del 75N08R, y su generación de calor es muy diferente. Cuanto menor sea la resistencia del MOSFET, mejor; la resistencia del MOSFET, el tubo MOSFET bajo un alto consumo de corriente es bastante grande.

2, el circuito impulsor de la amplitud del voltaje de conducción no es lo suficientemente grande

MOSFET es un dispositivo de control de voltaje, si desea reducir el consumo del tubo MOSFET, reducir el calor, la amplitud del voltaje del controlador de compuerta MOSFET debe ser lo suficientemente grande, conducir el borde del pulso a una pendiente pronunciada, puede reducir elMOSFETCaída de voltaje del tubo, reduce el consumo del tubo MOSFET.

3. La disipación de calor MOSFET no es una buena causa

El calentamiento del MOSFET inversor es algo serio. Como el consumo del tubo MOSFET del inversor es grande, el trabajo generalmente requiere un área externa del disipador de calor lo suficientemente grande, y el disipador de calor externo y el propio MOSFET entre el disipador de calor deben estar en estrecho contacto (generalmente se requiere que esté recubierto con material térmicamente conductor). grasa de silicona), si el disipador de calor externo es más pequeño, o si el MOSFET en sí no está lo suficientemente cerca del contacto del disipador de calor, puede provocar el calentamiento del MOSFET.

El calentamiento del MOSFET inversor es serio, hay cuatro razones para el resumen.

El ligero calentamiento del MOSFET es un fenómeno normal, pero el calentamiento es grave e incluso provoca que el MOSFET se queme, existen las siguientes cuatro razones:

1, el problema del diseño de circuitos

Deje que el MOSFET funcione en un estado operativo lineal, en lugar de en el estado de circuito de conmutación. También es una de las causas del calentamiento de los MOSFET. Si el N-MOS realiza la conmutación, el voltaje de nivel G debe ser unos pocos V más alto que la fuente de alimentación para estar completamente encendido, mientras que el P-MOS es lo contrario. No está completamente abierto y la caída de voltaje es demasiado grande, lo que genera consumo de energía, la impedancia de CC equivalente es mayor, la caída de voltaje aumenta, por lo que U * I también aumenta, la pérdida significa calor. Este es el error más evitado en el diseño del circuito.

2, una frecuencia demasiado alta

La razón principal es que a veces la búsqueda excesiva de volumen, lo que resulta en un aumento de la frecuencia,MOSFETLas pérdidas son grandes, por lo que el calor también aumenta.

3, diseño térmico insuficiente

Si la corriente es demasiado alta, el valor de corriente nominal del MOSFET generalmente requiere una buena disipación de calor para lograrlo. Por lo tanto, el ID es menor que la corriente máxima, también puede calentarse mucho y necesita suficiente disipador de calor auxiliar.

4, la selección de MOSFET es incorrecta

Al juzgar incorrectamente la potencia, la resistencia interna del MOSFET no se considera completamente, lo que resulta en una mayor impedancia de conmutación.