¿Cuáles son las cuatro regiones de un MOSFET?

Las cuatro regiones de un MOSFET de mejora de canal N

(1) Región de resistencia variable (también llamada región insaturada)

Ucs" Ucs (th) (voltaje de encendido), uDs" UGs-Ucs (th), es la región a la izquierda de la traza prefijada en la figura donde se enciende el canal. El valor de los UD es pequeño en esta región y la resistencia del canal está básicamente controlada únicamente por los UG. Cuando uGs es cierto, ip y uDs están en una relación lineal, la región se aproxima como un conjunto de líneas rectas. En este momento, el tubo de efecto de campo D, S entre el equivalente de un voltaje UGS

Controlado por la tensión UGS de resistencia variable.

(2) región de corriente constante (también conocida como región de saturación, región de amplificación, región activa)

Ucs ≥ Ucs (h) y Ubs ≥ UcsUssth), para la figura del lado derecho del pre-pellizco fuera de pista, pero aún no desglosado en la región, en la región, cuando los uGs deben estar, ib casi no lo hace. El cambio con los UD es una característica de corriente constante. i está controlado solo por los UG, entonces el MOSFETD, S es equivalente a un voltaje uGs que controla la fuente de corriente. MOSFET se utiliza en circuitos de amplificación, generalmente en el trabajo del MOSFET D, S es equivalente a una fuente de corriente de control de voltaje uGs. Los MOSFET utilizados en circuitos de amplificación, generalmente funcionan en la región, también conocida como área de amplificación.

(3) Área de corte (también llamada área de corte)

Área de recorte (también conocida como área de corte) para cumplir con los ucs "Ues (th) para la figura cerca del eje horizontal de la región, todo el canal está bloqueado, lo que se conoce como recorte completo, io = 0 , el tubo no funciona.

(4) ubicación de la zona de avería

La región de desglose se encuentra en la región del lado derecho de la figura. Con el aumento de UD, la unión PN está sujeta a demasiado voltaje inverso y falla, y ip aumenta bruscamente. El tubo debe operarse de manera que se evite operar en la región de rotura. La curva característica de transferencia se puede derivar de la curva característica de salida. Sobre el método utilizado como gráfico para encontrar. Por ejemplo, en la Figura 3 (a) para la línea vertical Ubs = 6V, su intersección con las diversas curvas correspondientes a los valores i, Us en las coordenadas ib-Uss conectadas a la curva, es decir, para obtener la curva característica de transferencia.

Parámetros deMOSFET

Hay muchos parámetros de MOSFET, incluidos parámetros de CC, parámetros de CA y parámetros de límite, pero solo los siguientes parámetros principales deben tenerse en cuenta en el uso común: corriente saturada de fuente de drenaje, voltaje de pellizco IDSS hacia arriba (tubos tipo unión y agotamiento). -tipo tubos de puerta aislada, o tensión de encendido UT (tubos de puerta aislada reforzada), transconductancia gm, tensión de ruptura de fuente de fuga BUDS, potencia máxima disipada PDSM y máxima IDSM de corriente de fuente de drenaje.

(1) Corriente de drenaje saturada

La corriente de drenaje saturada IDSS es la corriente de drenaje en un MOSFET de puerta aislada de tipo unión o agotamiento cuando el voltaje de puerta UGS = 0.

(2) Tensión de corte

El voltaje de pellizco UP es el voltaje de compuerta en un MOSFET de compuerta aislada de tipo unión o de agotamiento que simplemente corta entre el drenaje y la fuente. Como se muestra en 4-25 para el tubo de canal N UGS, se puede entender una curva ID para ver el significado de IDSS y UP.

MOSFET cuatro regiones

(3) Voltaje de encendido

El voltaje de encendido UT es el voltaje de compuerta en un MOSFET de compuerta aislada reforzada que hace que la fuente entre drenajes sea simplemente conductora.

(4) Transconductancia

La transconductancia gm es la capacidad de control del voltaje de la fuente de puerta UGS en la corriente de drenaje ID, es decir, la relación entre el cambio en la corriente de drenaje ID y el cambio en el voltaje de la fuente de puerta UGS. 9 m es un parámetro importante que pesa la capacidad de amplificación delMOSFET.

(5) Voltaje de ruptura de la fuente de drenaje

El voltaje de ruptura de la fuente de drenaje BUDS se refiere al voltaje de la fuente de compuerta UGS cierto, el funcionamiento normal del MOSFET puede aceptar el voltaje máximo de la fuente de drenaje. Este es un parámetro límite, sumado al voltaje de funcionamiento del MOSFET debe ser menor que BUDS.

(6) Disipación de potencia máxima

La disipación máxima de potencia PDSM también es un parámetro límite, se refiere a laMOSFETEl rendimiento no se deteriora cuando se alcanza la disipación de energía de la fuente de fuga máxima permitida. Cuando se utiliza el MOSFET, el consumo práctico de energía debe ser menor que el del PDSM y dejar un cierto margen.

(7) Corriente máxima de drenaje

La corriente de fuga máxima IDSM es otro parámetro límite, se refiere al funcionamiento normal del MOSFET, la fuente de fuga de la corriente máxima permitida a pasar a través de la corriente operativa del MOSFET no debe exceder el IDSM.

Principio de funcionamiento MOSFET

El principio de funcionamiento de MOSFET (MOSFET de mejora de canal N) es utilizar VGS para controlar la cantidad de "carga inductiva", con el fin de cambiar la condición del canal conductor formado por estas "cargas inductivas", y luego lograr el propósito. de controlar la corriente de drenaje. El propósito es controlar la corriente de drenaje. En la fabricación de tubos, a través del proceso de hacer una gran cantidad de iones positivos en la capa aislante, en el otro lado de la interfaz se pueden inducir más cargas negativas, estas cargas negativas se pueden inducir.

Cuando el voltaje de la puerta cambia, la cantidad de carga inducida en el canal también cambia, el ancho del canal conductor también cambia y, por lo tanto, el ID de la corriente de drenaje cambia con el voltaje de la puerta.

Función MOSFET

I. MOSFET se puede aplicar a la amplificación. Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador MOSFET, el condensador de acoplamiento puede tener una capacidad menor, sin el uso de condensadores electrolíticos.

En segundo lugar, la alta impedancia de entrada del MOSFET es muy adecuada para la conversión de impedancia. Comúnmente utilizado en la etapa de entrada de amplificadores de múltiples etapas para conversión de impedancia.

MOSFET se puede utilizar como resistencia variable.

Cuarto, MOSFET se puede utilizar fácilmente como fuente de corriente constante.

Quinto, MOSFET se puede utilizar como interruptor electrónico.