¿Por qué siempre es difícil probar el uso y reemplazo de MOSFET de alta potencia con un multímetro?

Acerca de los MOSFET de alta potencia ha sido uno de los ingenieros interesados ​​en discutir el tema, por lo que hemos organizado el conocimiento común y poco común deMOSFETEspero ayudar a los ingenieros. Hablemos de MOSFET, ¡un componente muy importante!

Protección antiestática

MOSFET de alta potencia es un tubo de efecto de campo de puerta aislada, la puerta no es un circuito de corriente continua, la impedancia de entrada es extremadamente alta, es muy fácil causar agregación de carga estática, lo que resultará en un alto voltaje será la puerta y la fuente de la capa aislante entre la avería.

La mayoría de los MOSFET de producción inicial no tienen medidas antiestáticas, así que tenga mucho cuidado en la custodia y aplicación, especialmente los MOSFET de menor potencia, debido a que la capacitancia de entrada del MOSFET de menor potencia es relativamente pequeña, cuando se expone a electricidad estática genera un voltaje más alto, fácilmente causado por una falla electrostática.

La reciente mejora del MOSFET de alta potencia es una diferencia relativamente grande, en primer lugar, debido a que la función de una capacitancia de entrada más grande también es mayor, por lo que el contacto con la electricidad estática tiene un proceso de carga, lo que resulta en un voltaje más pequeño, lo que provoca una avería. de la posibilidad de un MOSFET más pequeño, y luego nuevamente, ahora de alta potencia en la puerta interna y la fuente de la puerta y la fuente de un regulador protegido DZ, la estática incrustada en la protección del valor del regulador de voltaje del diodo regulador A continuación, efectivamente proteger la puerta y la fuente del capa aislante, diferente potencia, diferentes modelos de regulador de protección MOSFET, el valor del regulador de voltaje del diodo es diferente.

Aunque los MOSFET de alta potencia cuentan con medidas de protección interna, debemos operar de acuerdo con los procedimientos operativos antiestáticos que debe tener el personal de mantenimiento calificado.

Detección y reemplazo

En la reparación de televisores y equipos eléctricos, se encontrarán con una variedad de daños en los componentes,MOSFETTambién está entre ellos, que es cómo nuestro personal de mantenimiento utiliza el multímetro de uso común para determinar el MOSFET bueno y malo, bueno y malo. En el reemplazo de MOSFET si no hay el mismo fabricante y el mismo modelo, cómo reemplazar el problema.

1, prueba MOSFET de alta potencia:

Como personal general de reparación de televisores eléctricos en la medición de transistores o diodos de cristal, generalmente utiliza un multímetro ordinario para determinar los transistores o diodos buenos y malos, aunque no se puede confirmar el juicio de los parámetros eléctricos del transistor o diodo, pero siempre y cuando el método es correcto para la confirmación de transistores de cristal "buenos" y "malos" o "malos" para la confirmación de transistores de cristal. "Malo" o ningún problema. De manera similar, MOSFET también puede ser

Aplicar el multímetro para determinar su "bueno" y "malo", a partir del mantenimiento general, también puede satisfacer las necesidades.

La detección debe utilizar un multímetro tipo puntero (el medidor digital no es adecuado para medir dispositivos semiconductores). Para los tubos de conmutación MOSFET de tipo potencia son una mejora del canal N, casi todos los productos de los fabricantes utilizan el mismo formato de paquete TO-220F (se refiere a la fuente de alimentación conmutada para la potencia de 50-200 W del tubo de conmutación de efecto de campo) , la disposición de los tres electrodos también es consistente, es decir, los tres

Alfileres hacia abajo, imprima el modelo mirando hacia uno mismo, el alfiler izquierdo para la puerta, el alfiler de prueba derecho para la fuente, el alfiler del medio para el drenaje.

(1) multímetro y preparaciones relacionadas:

En primer lugar, antes de realizar la medición, debe poder utilizar el multímetro, especialmente la aplicación del equipo de ohmios, para comprender que el bloque de ohmios será la aplicación correcta del bloque de ohmios para medir el transistor de cristal yMOSFET.

Con el multímetro, la escala central de ohmios del bloque de ohmios no puede ser demasiado grande, preferiblemente menos de 12 Ω (tabla tipo 500 para 12 Ω), de modo que en el bloque R × 1 pueda tener una corriente mayor, para la unión PN del avance características de la sentencia es más precisa. La batería interna del bloque del multímetro R × 10K es mejor que 9 V, de modo que al medir la corriente de fuga inversa de la unión PN sea más precisa; de lo contrario, la fuga no se puede medir.

Ahora, debido al progreso del proceso de producción, la selección de fábrica y las pruebas son muy estrictas, generalmente juzgamos que siempre que el juicio del MOSFET no tenga fugas, no rompa el cortocircuito, la falta de circuito interno, puede ser Ampliado en el camino, el método es extremadamente simple:

Usando un multímetro bloque R × 10K; La batería interna del bloque R × 10K es generalmente de 9 V más 1,5 V a 10,5 V. Este voltaje generalmente se considera suficiente fuga de inversión de unión PN, el bolígrafo rojo del multímetro es potencial negativo (conectado al terminal negativo de la batería interna), el El bolígrafo negro del multímetro es potencial positivo (conectado al terminal positivo de la batería interna).

(2) Procedimiento de prueba:

Conecte el lápiz rojo a la fuente del MOSFET S; conecte el bolígrafo negro al drenaje del MOSFET D. En este momento, la indicación de la aguja debe ser infinita. Si hay un índice óhmico que indica que el tubo bajo prueba tiene un fenómeno de fuga, este tubo no se puede utilizar.

Mantener el estado anterior; en este momento con una resistencia de 100K ~ 200K conectada a la compuerta y al drenaje; en este momento la aguja debe indicar el número de ohmios cuanto más pequeño mejor, generalmente se puede indicar a 0 ohmios, esta vez es una carga positiva a través de la resistencia de 100K en la carga de la puerta MOSFET, lo que resulta en un campo eléctrico de la puerta, debido a el campo eléctrico generado por el canal conductor da como resultado la conducción de drenaje y fuente, por lo que la desviación de la aguja del multímetro y el ángulo de desviación son grandes (el índice de Ohm es pequeño) para demostrar que el rendimiento de la descarga es bueno.

Y luego se conecta a la resistencia eliminada, entonces el puntero del multímetro aún debe estar en el MOSFET y el índice permanece sin cambios. Aunque se quita la resistencia, debido a que la resistencia de la puerta cargada por la carga no desaparece, el campo eléctrico de la puerta continúa manteniendo el canal conductor interno, que son las características del tipo MOSFET de puerta aislada.

Si la resistencia que se retira de la aguja vuelve lenta y gradualmente a una resistencia alta o incluso vuelve al infinito, se debe considerar que la puerta del tubo medida tiene una fuga.

En este momento con un cable, conectado a la puerta y fuente del tubo bajo prueba, el puntero del multímetro inmediatamente volvió al infinito. La conexión del cable de modo que el MOSFET medido, la liberación de carga de la puerta, el campo eléctrico interno desaparezca; El canal conductor también desaparece, por lo que el drenaje y la fuente entre la resistencia y se vuelven infinitos.

2, reemplazo de MOSFET de alta potencia

En la reparación de televisores y todo tipo de equipos eléctricos, los componentes que presenten daños deberán sustituirse por componentes del mismo tipo. Sin embargo, en ocasiones no se dispone de los mismos componentes, siendo necesario utilizar otro tipo de recambio, por lo que debemos tener en cuenta todos los aspectos de prestaciones, parámetros, dimensiones, etc., como por ejemplo la televisión dentro del tubo de salida de línea, como Siempre y cuando se considere que el voltaje, la corriente y la potencia generalmente se pueden reemplazar (el tubo de salida de línea tiene casi las mismas dimensiones que la apariencia), la potencia tiende a ser mayor y mejor.

Para el reemplazo de MOSFET, aunque también se aplica este principio, es mejor crear el mejor prototipo, en particular, no buscar que la potencia sea mayor, porque la potencia es grande; la capacitancia de entrada es grande, los circuitos de excitación cambian y no coinciden con la excitación de la resistencia limitadora de corriente de carga del circuito de riego del tamaño del valor de resistencia y la capacitancia de entrada del MOSFET está relacionada con la selección de la potencia de gran tamaño a pesar de la La capacidad es grande, pero la capacitancia de entrada también es grande, y la capacitancia de entrada también es grande y la potencia no es grande.

La capacitancia de entrada también es grande, el circuito de excitación no es bueno, lo que a su vez empeorará el rendimiento de encendido y apagado del MOSFET. Muestra la sustitución de diferentes modelos de MOSFET, teniendo en cuenta la capacitancia de entrada de este parámetro.

Por ejemplo, hay un daño en la placa de alto voltaje de retroiluminación de un televisor LCD de 42 pulgadas, después de verificar el daño interno del MOSFET de alta potencia, debido a que no hay un número de prototipo de reemplazo, la elección de un voltaje, corriente y potencia no es inferior a Después del reemplazo del MOSFET original, el resultado es que el tubo de retroiluminación parece tener un parpadeo continuo (dificultades de inicio) y finalmente se reemplazó con el mismo tipo del original para resolver el problema.

Si se detecta un daño en el MOSFET de alta potencia, también se deben reemplazar sus componentes periféricos del circuito de perfusión, porque el daño al MOSFET también puede deberse a componentes deficientes del circuito de perfusión causados ​​por el daño al MOSFET. Incluso si el propio MOSFET está dañado, en el momento en que se estropea, los componentes del circuito de perfusión también resultan dañados y deben ser reemplazados.

Así como tenemos muchos maestros de reparación inteligentes en la reparación de la fuente de alimentación conmutada A3; Siempre que el tubo de conmutación se rompa, también es la parte frontal del tubo de excitación 2SC3807 junto con el reemplazo por la misma razón (aunque el tubo 2SC3807, medido con un multímetro, es bueno).